[发明专利]一种倒装LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710251224.3 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107086260A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王钢;劳裕钦;马学进;马艳飞;陈梓敏;范冰丰;闫林超 | 申请（专利权）人： | 中山大学;佛山市中山大学研究院 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人： | 顿海舟,李唐明 |
| 地址： | 510260 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种倒装LED芯片结构及其制作方法。倒装LED芯片结构包括三维图形结构、蓝宝石衬底、半导体材料层、N电极、接触反射层、绝缘隔离层、P电极和焊接电极10；所述半导体材料层包括N型半导体材料、发光层和P型半导体材料。在蓝宝石衬底表面形成掩膜材料，再用光刻蚀刻的方法将光刻胶图案制作在掩膜上，蚀刻掩膜，去除光刻胶，在衬底表面形成三维图形结构掩膜层，再用蚀刻的方法在衬底表面形成三维图形结构，最后清除掩膜。本发明可以根据特定应用场景的光源要求，对倒装LED芯片的蓝宝石衬底出光面进行光学设计与加工，制作出单个的、周期性的或者非周期性的三维光学图形，从而实现所需的光源要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒装LED芯片，其特征在于：包括，三维图形结构、蓝宝石衬底、半导体材料层、N电极、接触反射层、绝缘隔离层、P电极和焊接电极；所述半导体材料层包括N型半导体材料、发光层和P型半导体材料；所述三维图形在所述蓝宝石衬底的上表面，所述发光层在所述N型半导体材料和所述P型半导体材料之间，所述P电极、N电极与所述焊接电极连接，所述接触反射层设置在所述P型半导体材料和所述P电极之间，所述焊接电极设置在所述倒装LED芯片最下端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学;佛山市中山大学研究院，未经中山大学;佛山市中山大学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710251224.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种母线槽接头的散热结构
- 下一篇：对钩线夹街码
