[发明专利]垂直腔发光元件及其制造方法

摘要

本申请涉及垂直腔发光元件及其制造方法。具体地，该垂直腔发光元件包括：第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，它们以该顺序形成在第一反射器上；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在第二导电型半导体层上；透明电极，该透明电极覆盖贯穿开口和电流限制层，并且经由贯穿开口与第二导电型半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在透明电极上。在贯穿开口中彼此接触的、透明电极的对应于开口的部分和第二导电型半导体层的对应于开口的部分中的至少一者包括：沿着贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域。

主权项

一种垂直腔发光元件，该垂直腔发光元件包括：第一反射器，该第一反射器形成在基板上；半导体结构层，该半导体结构层形成在所述第一反射器上，所述半导体结构层包括第一导电型的第一半导体层、有源层、以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在所述第二半导体层上；贯穿开口，该贯穿开口形成在所述电流限制层中而贯穿所述电流限制层；透明电极，该透明电极覆盖所述贯穿开口和所述电流限制层，所述透明电极经由所述贯穿开口与所述第二半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在所述透明电极上，其中，在所述贯穿开口中彼此接触的、所述透明电极的对应于所述开口的部分和所述第二半导体层的对应于所述开口的部分中的至少一者包括：沿着所述贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在所述贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域，以及所述第一电阻区域具有比所述第二电阻区域的电阻值高的电阻值。