[发明专利]一种基于双受激发射竞争实现的超快光开关及其制备方法有效
| 申请号： | 201710252225.X | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108732793B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张义;付红兵;吴义室;骆智训 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双受激发射竞争实现的超快光开关及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤：(1)将有机半导体材料制备成微腔；(2)在所述微腔上通过下述步骤1)‑2)实现双受激发射：1)将泵浦光源耦合到所述微腔上；2)将信号光源耦合到经步骤1)处理的所述微腔上；(3)调整耦合到所述微腔上的所述泵浦光源和所述信号光源的强度和相对延时，即得到所述基于双受激发射竞争实现的超快光开关。本发明制备方法简单，开关开启速度快且关闭速度也快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 受激发射 竞争 实现 超快光 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双受激发射竞争实现的超快光开关的制备方法，包括如下步骤：(1)将有机半导体材料制备成微腔；(2)在所述微腔上通过下述步骤1)‑2)实现双受激发射：1)将泵浦光源耦合到所述微腔上；2)将信号光源耦合到经步骤1)处理的所述微腔上；(3)调整耦合到所述微腔上的所述泵浦光源和所述信号光源的强度和相对延时，即得到所述基于双受激发射竞争实现的超快光开关。
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