[发明专利]缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法有效

专利信息
申请号: 201710252452.2 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN107133390B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 黄松岭;彭丽莎;赵伟;张宇;王珅 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张润
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法,包括以下步骤:S1:根据预设的目标缺陷尺寸选取单元缺陷尺寸;S2:获取单元缺陷漏磁信号;S3:对单元缺陷漏磁信号进行频域变换,得到变换后的频域信号;S4:对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作,得到平移变换后的两个频域信号;S5:将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号进行组合操作,得到组合后的频域信号;S6:将组合后的频域信号进行反向频域变换,得到目标缺陷的漏磁信号。本发明不需要对目标缺陷再次进行有限元等复杂计算,具有计算模型简单、速度快的优点。
搜索关键词: 缺陷 信号 垂直 磁化 方向 单元 组合 求解 方法
【主权项】:
1.一种缺陷漏磁信号垂直磁化方向单元组合求解方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:根据预设的目标缺陷尺寸d1,d2,d3,选取单元缺陷尺寸a1,a2,a3,其中,d1为目标缺陷的长度,d2为目标缺陷的宽度,d3为目标缺陷的深度,a1为单元缺陷的长度,a2为单元缺陷的宽度,a3为单元缺陷的深度;S2:获取单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3),其中,x1为磁化方向,x2为垂直磁化方向,x3为被测材料的厚度方向;S3:对单元缺陷漏磁信号Ha(x1,x2,x3)进行频域变换,得到变换后的频域信号Ta123),α1,α2和α3分别是x1,x2和x3方向上的空间频率变量;S4:对变换后的频域信号沿垂直磁化方向进行平移变换操作,得到平移变换后的两个频域信号Ta1123)和Ta2123);S5:将沿垂直磁化方向平移变换后的两个频域信号Ta1123)和Ta2123)进行组合操作,得到组合后的频域信号Tcomb123);S6:将组合后的频域信号Tcomb123)进行反向频域变换,得到目标缺陷的漏磁信号Htar(x1,x2,x3)。
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