[发明专利]沿磁化方向的单元组合缺陷漏磁信号计算方法有效
申请号: | 201710252481.9 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN106918639B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 黄松岭;赵伟;彭丽莎;于佳 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N27/83 | 分类号: | G01N27/83;G06F17/14 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种沿磁化方向的单元组合缺陷漏磁信号计算方法,包括以下步骤:S1:根据预设的目标缺陷尺寸,选取单元缺陷尺寸;S2:获取单元缺陷漏磁信号;S3:对单元缺陷漏磁信号进行三维傅里叶变换,得到变换后的频域信号;S4:对变换后的频域信号沿磁化方向进行平移变换操作,得到平移变换后的两个频域信号;S5:将沿磁化方向平移变换后的两个频域信号进行组合操作,得到组合后的频域信号;S6:将组合后的频域信号进行三维傅里叶反变换,得到目标缺陷的漏磁信号。本发明不需要对目标缺陷再次进行有限元等复杂计算,具有计算模型简单、速度快的优点。 | ||
搜索关键词: | 磁化 方向 单元 组合 缺陷 信号 计算方法 | ||
【主权项】:
1.一种沿磁化方向的单元组合缺陷漏磁信号计算方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:根据预设的目标缺陷尺寸l,w,d,选取单元缺陷尺寸l0,w0,d0,其中,l为目标缺陷的长度,w为目标缺陷的宽度,d为目标缺陷的深度,l0为单元缺陷的长度,w0为单元缺陷的宽度,d0为单元缺陷的深度,所述目标缺陷是单元缺陷沿磁化方向的组合,单元缺陷尺寸l0,w0,d0与目标缺陷尺寸l,w,d之间满足下述条件:l0=l/2,w0=w,d0=d;S2:获取单元缺陷漏磁信号HE(x,y,z),x表示在检测平面上沿磁化方向的坐标值,y表示在检测平面上沿垂直磁化方向的坐标值,z表示沿被测材料的厚度方向的坐标值;S3:对单元缺陷漏磁信号HE(x,y,z)进行三维傅里叶变换,得到变换后的频域信号FE(α,β,γ),α,β和γ分别在是x,y和z方向上的空间频率变量;S4:对变换后的频域信号沿磁化方向进行平移变换操作,得到平移变换后的两个频域信号FEα‑(α,β,γ)和FEα+(α,β,γ),其中,在沿磁化方向进行平移变换操作时,满足如下公式:S5:将沿磁化方向平移变换后的两个频域信号FEα‑(α,β,γ)和FEα+(α,β,γ)进行组合操作,得到组合后的频域信号FEcombine(α,β,γ),其中,在进行组合操作时,满足如下公式:FEcombine(α,β,γ)=FEα‑(α,β,γ)+FEα+(α,β,γ);S6:将组合后的频域信号FEcombine(α,β,γ)进行三维傅里叶反变换,得到目标缺陷的漏磁信号HT(x,y,z),其中,在进行三维傅里叶反变换时,满足如下公式:
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