[发明专利]一种用于制备固定倾斜角度硅纳米线结构的方法在审
| 申请号： | 201710252784.0 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107118774A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 徐庆君;许亮 | 申请（专利权）人： | 枣庄学院 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/306;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277160 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备固定倾斜角度硅纳米线结构的方法，其特征在于，将待制备纳米线结构的P型[111]晶向硅片清洗后置于配方为氢氟酸2.3‑4.6mol/L、硝酸银0.015‑0.05mol/L的腐蚀液中腐蚀时间为15‑30分钟，腐蚀液温度为90‑100摄氏度，然后取出用去离子水清洗。此方法制备的纳米线倾斜方向与硅衬底法线方向夹角为55℃，表明纳米线沿着[100]晶向生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 固定 倾斜 角度 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备固定倾斜角度硅纳米线结构的方法，将待制备纳米线结构的硅片清洗后置于腐蚀液中，然后取出用去离子水清洗，其特征在于：所示硅片为P型[111]晶向；腐蚀液的配方为以下组分及浓度含量：氢氟酸2.3‑4.6mol/L、硝酸银0.015‑0.05mol/L；腐蚀时间为15‑30分钟，腐蚀液温度为90‑100摄氏度。
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