[发明专利]无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置在审
申请号: | 201710253084.3 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107068904A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 崔富毅;孙泉钦;陈旭;肖昂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及无机封装薄膜、OLED封装薄膜的制作方法及相应装置,用以解决目前OLED显示面板中的薄膜封装结构,采用化学气相沉积工艺制备的无机膜层致密性偏差,导致无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力较差的问题。该方法包括采用化学气相沉积工艺,在待封装器件上形成第一无机封装薄膜;采用原子层沉积工艺,在第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。本发明采用化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺分别制作两层无机封装薄膜,原子层沉积工艺成膜单位微小,膜层的致密性更高,因而可以填补采用化学气相沉积工艺制备的无机封装薄膜中出现的细微孔洞缺陷,进而可以提高无机膜层的绝缘性和隔阻水氧的能力,改善了封装的效果。 | ||
搜索关键词: | 无机 封装 薄膜 oled 制作方法 相应 装置 | ||
【主权项】:
一种无机封装薄膜的制作方法,其特征在于,包括:采用化学气相沉积工艺,在待封装器件上形成第一无机封装薄膜;采用原子层沉积工艺,在所述第一无机封装薄膜上形成一整层的第二无机封装薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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