[发明专利]微型发光二极管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710253226.6 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107068665B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 盛翠翠;王笃祥;钟秉宪;吴俊毅;吴超瑜 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微型发光二极管器件及其制作方法，该微型发光二极管器件包括：微器件单元阵列，相邻的微器件单元之间具有间隙；连接层，位于所述微器件单元之间的间隙，至少与一个微器件单元连接；固定层，位于所述微器件单元阵列的下方，仅与所述连接层的下表面接触，并在所述微器件单元的下方形成空腔。本发明针对小尺寸的微半导体单元，在其间的间隙形成连接层，用于与固定层接触，可大大增加粘接点的接触面积，保证微型器件在拾取之前不会因外界因素的影响导致良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.微型发光二极管器件，包括：微器件单元阵列，相邻的微器件单元之间具有间隙，每个微器件单元具有半导体外延结构；连接层，位于所述微器件单元之间的间隙，至少与一个微器件单元连接；固定层，位于所述微器件单元阵列的下方，仅与所述连接层的下表面接触，并在所述微器件单元的下方形成空腔；其特征在于：所述连接层由所述微器件单元的半导体外延结构向间隙延伸并减薄至一定厚度而成。
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