[发明专利]三维结构纳米氧化铟气敏传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710253687.3 | 申请日： | 2017-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107024518A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 齐天骄;杨希;杨芳;田昕;左继 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所51213 | 代理人： | 刘兴亮,李洁 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，将氧化铟纳米粉体与松油醇混合，在研钵中研磨均匀，采用旋涂法将氧化铟浆料涂抹于陶瓷平面电极上制成气敏元件，将所述气敏元件置于烘箱中烘干；然后将所述烘干后的气敏元件置于马弗炉，进行煅烧，制备成具有三维结构的纳米氧化铟气敏元件；将所述的气敏元件的铂导电丝焊接在气敏器件的基座上并加盖管帽，经老化处理后得到旁热式氧化铟纳米气敏传感器。本发明还提供一种三维结构纳米氧化铟气敏传感器。本发明不使用和产生有毒有害物质，有利于环境保护；制得的气敏传感器对NO2表现出较高的灵敏度和快速响应、恢复，检测限低，选择性高；本发明制得的气敏传感器结构及制备工艺简单，便于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 结构 纳米 氧化 铟气敏 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将附有金电极和铂导电丝的陶瓷平面电极依次在丙酮，乙醇和去离子水中超声清洗5min，烘干备用；(2)称取一定量的氧化铟纳米粉体，与松油醇混合，在研钵中研磨30min，使其成为分散均匀的浆料；(3)采用旋涂法将氧化铟浆料涂抹于陶瓷平面电极上制成气敏元件，将所述气敏元件置于烘箱中烘干；(4)然后将步骤(3)所得气敏元件置于马弗炉，在500‑800℃下煅烧2h，制备成具有三维结构的纳米氧化铟气敏元件；(5)将所述的气敏元件的铂导电丝焊接在气敏器件的基座上部的四根引线柱上并加盖管帽；(6)将步骤(5)所得的气敏器件老化处理3‑10天后得到旁热式氧化铟纳米气敏传感器。
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