[发明专利]半导体模块和电力转换装置

摘要

本发明涉及半导体模块和电力转换装置。半导体模块包括IGBT和MOSFET。IGBT由硅半导体制成。MOSFET由具有比硅半导体宽的带隙的宽带隙半导体制成。IGBT和MOSFET彼此并联连接以形成半导体元件对。IGBT具有比MOSFET大的表面积。半导体模块被配置成在包括低电流区域和高电流区域的区域中操作。流过半导体元件对的电流在高电流区域中比在低电流区域中高。在低电流区域中，MOSFET的导通电阻比IGBT的导通电阻低。相较而言，在高电流区域中，IGBT的导通电阻比MOSFET的导通电阻低。

主权项

一种半导体模块，包括：由硅半导体制成的IGBT；以及由具有比所述硅半导体宽的带隙的宽带隙半导体制成的MOSFET，其中所述IGBT和所述MOSFET彼此并联连接以形成半导体元件对，所述IGBT具有比所述MOSFET大的表面积，以及所述半导体模块被配置成在包括低电流区域和高电流区域的区域中操作，流过所述半导体元件对的电流在所述高电流区域中比在所述低电流区域中高，在所述低电流区域中，所述MOSFET的导通电阻比所述IGBT的导通电阻低，以及在所述高电流区域中，所述IGBT的所述导通电阻比所述MOSFET的所述导通电阻低。