[发明专利]一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710253949.6 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN107140971B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 谈国强;郭美佑;杨玮;刘云;任慧君;夏傲 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01F1/10 分类号: H01F1/10;C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 岳培华
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供了一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜及其制备方法,以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5%),以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂,用旋涂法和层层退火的工艺制备了在高电场下具有稳定铁电性的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,实验条件易于实现,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,制得的在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜均匀性较好,能够有效提高其耐击穿性能,提高其剩余极化值。
搜索关键词: 一种 电场 具有 稳定 铁电性 hosrmnzn 共掺铁酸铋铁电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种在高电场下具有稳定铁电性的HoSrMnZn共掺铁酸铋铁电薄膜,其特征在于,该薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3薄膜,该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构,空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存。
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