[发明专利]一种磷酸钴助催化剂改性BiFeO3薄膜光电极及其制备方法

摘要

本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO₃(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。

主权项

1.一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极，其特征在于：BFO薄膜是由颗粒尺寸约100nm的纳米颗粒堆叠而成，而Co‑Pi助催化剂呈絮状结构完全覆盖在BFO薄膜表面。