[发明专利]一种制备Yb、La和SiC复合变质A356.2合金的方法有效

专利信息
申请号: 201710256439.4 申请日: 2017-04-19
公开(公告)号: CN107119203B 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 张少辰;冷金凤;周庆波;王鹤;王琦 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C22C1/10 分类号: C22C1/10;C22C1/06;C22C21/04
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种制备Yb、La和SiC复合变质A356.2合金的方法,包括如下步骤:以纳米级的SiC为颗粒增强体,经过超高温氧化处理后,再采用纳米磁控溅射设备,将高纯金属Ti包裹在氧化处理后的SiC颗粒表面;且采用高纯复合重稀土变质和连续超声辅助熔炼,以进一步提高铸造质量。本发明采用自主研发的支架为辅助设备,可以使得SiC颗粒处于悬浮状态就得以浇注。此制备方法简单、成本较低,生产周期短,拥有良好的产业化前景。
搜索关键词: 一种 制备 yb la sic 复合 变质 a356 合金 方法
【主权项】:
1.一种制备Yb、La和SiC复合变质A356.2合金的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)碳化硅的预处理:(1)称取5.25g的平均粒径5nm-90nm的碳化硅,加入20ml的酒精,超声分散30分钟;(2)将超声完毕的碳化硅放入鼓风干燥箱中,70℃进行烘干2h;(3)烘干完毕,放入研磨钵中研磨时间为2h;(4)SiC放进石英坩埚,加热至300℃±5℃保温30min,再升温至1200℃±5℃保温5h,期间每隔30min搅拌,时间为40s;(5)将预处理完毕后的SiC剔除大于100nm的颗粒;2)SiC的后续处理:碳化硅的预处理后进行磁控溅射;3)熔炼过程(1)将超声波坩埚加热器中的电阻炉加热至500℃~550℃,向石墨坩埚中加入纯度为99.9%的铝锭;(2)升温至730℃,待铝锭全部熔化,加入Al-20%Si中间合金;(3)等待Al-20%Si完全熔化,加入用铝箔紧密包裹的纯度为99.99%的Yb+La,其中铝箔和Yb+La质量比为3:1,保温5min,加入覆盖剂,保温40min-55min;(4)保温后第一次扒渣,扒渣完成后用石墨棒充分搅拌,继续保温15min;(5)用石墨棒边搅拌边加入已经预热40℃的SiC,SiC加入的位置为搅起半固态的漩涡中心,搅拌2min之内将SiC全部加入;(6)待升温至730℃时进行超声,时间为30min;(7)加入铝箔紧密包裹的Mg,其中铝箔和Mg的质量比为3:1并立即加入覆盖剂,保温5min;(8)加入Al-5%Ti-1%C丝,进行第二次扒渣处理,搅拌均匀后在720℃进行浇注,浇注时用耐高温的化学纤维细网进行过滤;(9)浇注后热处理,得到Yb、La和SiC复合变质A356.2合金;所述的Yb、La和SiC复合变质A356.2合金的组分的质量百分比为:Si:6.5%-7.5%,Mg:0.30%-0.45%,Ti:0.05%-0.1%,Yb:0.3%-0.5%,La:0.3%-0.5%,纳米SiC:0.5%-1.0%,Fe≤0.2%,Cu≤0.2%,Zn≤0.1%,其余杂质元素均≤0.05%,余量为Al。
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