[发明专利]一种原子层沉积反应装置及通孔材料表面薄膜沉积工艺

摘要

本发明涉及本发明提供一种原子层沉积反应腔体设计装置以及针对超高深宽比通孔材料表面均匀镀膜工艺，其中，原子层沉积反应腔体设计装置包括：进气系统、排气系统、上反应腔、下反应腔、基板；其中，基板位于上反应腔内，进气系统用于提供所需反应前驱体和净化气体，反应前驱体和净化气体进入所述上反应腔，排气系统用于清除多余反应前驱体和净化气体，经所述下反应腔排除。本发明可以解决超高深宽比通孔材料内部表面无法均匀沉积镀膜问题。

主权项

1.一种原子层沉积反应装置，其特征在于，所述装置包括下反应腔、覆盖在反应腔体顶部的顶盖、设置在顶盖中的供气单元、设置在下反应腔内部并与供气单元连接的上反应腔以及设置在下反应腔底部的排气口，所述上反应腔的底部设有沉积基板卡槽，所述沉积基板卡槽上固定放置样品放置台；所述沉积基板卡槽的形状大小与样品放置台相匹配，且沉积基板卡槽上设有压杆；所述样品放置台的中部设有用于连接上反应腔和下反应腔的连接口，用于原子层沉积反应的基体放置在该连接口上，且覆盖住连接口，所述基体通过压杆固定在样品放置台上，所述基体设置在上反应腔中。