[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201710257304.X | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN107342315A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 中西俊郎;南甲镇;张立杰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。
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