[发明专利]低温多晶硅层及制备方法、显示基板和显示装置

摘要

一种制备低温多晶硅层的方法，包括提供衬底基板，衬底基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域；在衬底基板上沉积非晶硅层；并且利用激光束照射非晶硅层，使非晶硅层结晶形成多晶硅层，其中激光束照射驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数不同于照射非驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数。通过差异化处理驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域，在不显著影响设备产能的情况下，驱动薄膜晶体管区域的非晶硅层在晶化过程中形成较大晶粒尺寸，载流子迁移率提高，并且后续形成的驱动薄膜晶体管的电气性能改善。还公开了一种低温多晶硅层、显示基板和显示装置。

主权项

一种制备低温多晶硅层的方法，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域；在所述衬底基板上沉积非晶硅层；并且利用激光束照射所述非晶硅层，使所述非晶硅层结晶形成多晶硅层，其中所述激光束照射所述驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层时的扫描参数不同于照射所述非驱动薄膜晶体管区域中的所述非晶硅层时的扫描参数。