[发明专利]GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜及其纳米外延过生长方法在审
| 申请号： | 201710259151.2 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981415A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘智崑;李国强;李媛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，包括(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积SiO2薄膜；(4)采用纳米压印的方法在SiO2薄膜制作长条形图案，得到具有长条形窗口区的掩模层；(5)采用MOCVD方法从窗口区外延过生长GaN膜，掩模区上方被GaN膜铺满，直至生长得到连续的GaN膜，得到过生长GaN外延层。本发明还公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜。本发明解决了现有技术中在Si衬底上生长的GaN薄膜位错密度太高，GaN HEMT电子器件电阻高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁移率 晶体管 氮化 薄膜 及其 纳米 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积SiO2薄膜；(4)采用纳米压印的方法在SiO2薄膜上制作长条形图案，得到具有长条形窗口区的掩模层；所述长条形窗口区的长度方向与GaN高电子迁移率晶体管的电流方向平行；(5)采用MOCVD方法从窗口区外延过生长GaN膜，掩模区上方被GaN膜铺满，直至生长得到连续的GaN膜，即过生长GaN外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
