[发明专利]生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710259420.5 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN106981549B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李国强;韩晶磊;温雷;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本发明还公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片的制备方法，包括以下步骤：(1)硅衬底的清洗；(2)金属铟液滴的沉积：(3)非掺杂含铟氮化镓纳米柱的生长；(4)n型掺杂氮化镓层的生长；(5)铟镓氮/氮化镓多量子阱的外延生长；(6)p型掺杂氮化镓层的外延生长。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 氮化 纳米 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱和p型掺杂氮化镓层。
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