[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法

摘要

本发明提出一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法。该电池组件在垂直方向上从下至上依次为背板透光衬底层、非透明导电金属层、薄膜光电转化层、透明导电氧化物层、封装层和前板透光衬底层。此电极暴露方法利用激光器配合扫描振镜进行工作，使用一定波长的激光对需要暴露电极的位置进行扫描照射，通过利用不同膜层对激光的吸收程度不同的原理，达到剥离薄膜光电转化层及透明导电氧化物层，并保留非透明导电金属层的目的。此种工艺可稳定可靠，并使得金属汇流条能够直接接触金属电极，降低薄膜太阳能电池内阻，实现更高的转化效率。

主权项

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法，铜铟镓硒薄膜太阳能电池在垂直方向上从下至上依次为背板透光衬底层、非透明导电金属层、薄膜光电转化层、透明导电氧化物层、封装层和前板透光衬底层；汇流条焊接在非透明导电金属层上并通过封装层封装，其中，汇流条及所焊接处的非透明导电金属层即为待暴露的太阳能电池金属电极；其特征在于，所述金属电极暴露方法包括以下步骤：(1)扫描区域定位，通过激光位置传感器测量待加工太阳能电池边缘，计算出电池金属电极暴露位置设定值与实测值的差值；暴露位置设定值即待加工太阳能电池预定布局中金属电极的设定位置，实测值即在软件扫描起始位置offset设定值为0时金属电极位置，以及差值即上述实测值与设定值之差；(2)根据步骤(1)得到的差值，设定激光器扫描起始位置；(3)根据待加工太阳能电池预定布局设定激光器扫描振镜的扫描宽度、扫描速度、激光束焦点位置及待加工太阳能电池的进给速度即太阳能电池相对于激光器扫描振镜所属激光头的相对运动速度；(4)根据待加工太阳能电池膜层特性设定激光器发射激光频率、功率、光斑直径；(5)根据步骤(3)和步骤(4)设定的激光器参数对铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极预设暴露位置进行激光扫描照射，直到金属电极暴露。