[发明专利]一种通过表面结晶改善二氧化硅光学特性的方法有效
| 申请号： | 201710260877.8 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107138372B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 谢志鹏;孙思源;葛一瑶;田兆波;张杰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B05D5/06 | 分类号： | B05D5/06;B05D3/04;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过表面结晶改善二氧化硅光学特性的方法，包含以下步骤：(1)将化学改性后的纳米二氧化硅溶胶颗粒均匀涂于硅片上；(2)将步骤(1)中涂有二氧化硅的硅片在炉子中进行高压惰性气体热处理，热处理温度为100‑1800℃，气体压力为0.1‑6MPa，热处理时间为1‑10h，得到颗粒表面部分结晶的均匀二氧化硅膜层。经过高压惰性气氛快速升降温热处理的二氧化硅膜层，光学特性有所改善，折射率提高且连续可调，可作为太阳能电池梯度折射率减反层的理想材料。该膜层的制备工艺简单，原料成本低，有利于实现大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 表面 结晶 改善 二氧化硅 光学 特性 方法 | ||
【主权项】：
一种通过表面结晶改善二氧化硅光学特性的方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)将化学改性后的纳米二氧化硅溶胶颗粒均匀涂于硅片上；(2)将步骤(1)中涂有二氧化硅的硅片在炉子中进行高压惰性气体热处理，热处理温度为100‑1800℃，气体压力为0.1‑6MPa，热处理时间为1‑10h，得到颗粒表面部分结晶的均匀二氧化硅膜层。
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