[发明专利]晶圆表面平坦化方法在审
| 申请号： | 201710261391.6 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108735590A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵厚莹 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面平坦化方法，包括以下步骤：1）提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2）在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3）对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4）去除所述第一固化平坦层；5）在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6）对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7）去除所述第二固化平坦层。本发明的晶圆平坦化方法可以彻底消除晶圆表面的表面纳米形貌，具有工艺步骤简单、易于操作、效率较高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 平坦层 固化 第二表面 第一表面 研磨处理 平坦化 晶圆表面 去除 形貌 表面纳米 工艺步骤 圆表面 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2)在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3)对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4)去除所述第一固化平坦层；5)在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6)对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7)去除所述第二固化平坦层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710261391.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅表面的修复方法
- 下一篇：晶圆表面平坦化方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
