[发明专利]CVD设备及其温度控制方法与发热体

摘要

本发明提供CVD设备及其温度控制方法与发热体。其中，用于加热可旋转基片承载盘的发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。

主权项

1.一种用于加热可旋转基片承载盘的发热体，所述基片承载盘(40)的上表面用于承载一个或多个基片，所述发热体配置于所述基片承载盘的下表面的下方；所述发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)，用于加热位于发热体上方的基片承载盘下表面；所述第一加热丝至少包括第一加热段与第二加热段，所述第二加热丝包括至少一个加热段；所述第一加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1min，所述第一加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S1max；所述第二加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2min，所述第二加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S2max，由S1min与S1max确定的数值区间[S1min，S1max]与由S2min与S2max确定的数值区间[S2min，S2max]之间的交集不为空集；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。