[发明专利]一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器有效
申请号: | 201710262660.0 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107275434B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 王浩;薛梦妮;周海;叶葱 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法,其具体结构为FTO衬底层,ZnO纳米棒为电子传输层,CsPbBr3钙钛矿为吸光层,半导体氧化物MoO3为空穴传输层,金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层,使本发明具有高稳定性和低廉成本,且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W,同时器件具有自驱动能力,工作时不需要外加偏压,低功耗工作,节约能源。本发明操作步骤简单,实验成本低廉,具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 zno cspbbr3 moo3 结构 无机 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器,它主要由透明导电玻璃、具有空穴阻挡作用的ZnO纳米棒电子传输层、CsPbBr3无机钙钛矿吸光层、具有电子阻挡作用的MoO3空穴传输层、金属Au膜电极组成,其特征在于所述电子传输层ZnO纳米棒长度为300nm~500nm,ZnO纳米棒生长在ZnO种子层上,ZnO种子层厚度为20nm~50nm,所述吸光层CsPbBr3钙钛矿在ZnO纳米棒上面,所述空穴传输层MoO3的厚度为5nm~30nm,所述金属Au膜电极的厚度为50nm~70nm,所选材料全部是无机物材料;所述探测器采用如下方法制备而成,包括如下步骤:(1)FTO分别用去离子水、丙酮、酒精各超声15分钟,然后用紫外臭氧环境处理30分钟;(2)用旋涂制备ZnO种子层;用1.5M的醋酸锌溶液溶解在甲醇溶液中随后搅拌10分钟,采用5000r/min的转速旋涂在FTO上,时间为20秒;在100℃条件下烘干10min,再转移到马沸炉中进行退火,温度为300℃,时间为2h;(3)采用水浴法制备ZnO纳米棒;用0.6g聚醚酰亚胺PEI加入到150ml去离子水中搅拌,然后加入50mmol/L六水硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O和30mmol/L六次甲基四胺C6H12N4,充分搅拌30分钟,将步骤(2)退火后的样品放入溶液中,在88.5摄氏度环境下反应10分钟,从溶液中取出来后将样品充分吹干;将ZnO纳米棒转移到马沸炉中进行退火,温度为300℃,时间为2h;(4)采用传统的两步法合成钙钛矿层;先将1M PbBr2溶解在二甲亚枫DMSO中,在70℃条件下保温15h使之充分溶解,然后过滤备用;将CsBr溶解在甲醇溶液中搅拌30分钟备用;PbBr2溶液采用3000转30秒旋涂在ZnO纳米棒上,然后在热台上烤干,30分钟后,在CsBr甲醇溶液中浸泡10分钟,然后250度烤干;(5)做完钙钛矿层后再旋涂HTM层;这里HTM层的材料采用MoO3;采用蒸发蒸镀的方法,蒸发速率为
(6)最后的金电极采用蒸发蒸镀的方法,蒸发速率为
(7)检测,至此,即可制作成一个完整的纯无机光电探测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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