[发明专利]一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器有效

专利信息
申请号: 201710262660.0 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN107275434B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 王浩;薛梦妮;周海;叶葱 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01L31/103 分类号: H01L31/103;H01L31/0264;H01L31/18
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 杨采良
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CsPbBr3/MoO3/Au结构的纯无机自驱动光电探测器及其制备方法,其具体结构为FTO衬底层,ZnO纳米棒为电子传输层,CsPbBr3钙钛矿为吸光层,半导体氧化物MoO3为空穴传输层,金属电极是由Au组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CsPbBr3形成的全无机异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层,使本发明具有高稳定性和低廉成本,且响应度和探测度分别为0.45A/W和1.76×1013cmHz1/2/W,同时器件具有自驱动能力,工作时不需要外加偏压,低功耗工作,节约能源。本发明操作步骤简单,实验成本低廉,具有较好的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 zno cspbbr3 moo3 结构 无机 光电 探测器
【主权项】:
1.一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器,它主要由透明导电玻璃、具有空穴阻挡作用的ZnO纳米棒电子传输层、CsPbBr3无机钙钛矿吸光层、具有电子阻挡作用的MoO3空穴传输层、金属Au膜电极组成,其特征在于所述电子传输层ZnO纳米棒长度为300nm~500nm,ZnO纳米棒生长在ZnO种子层上,ZnO种子层厚度为20nm~50nm,所述吸光层CsPbBr3钙钛矿在ZnO纳米棒上面,所述空穴传输层MoO3的厚度为5nm~30nm,所述金属Au膜电极的厚度为50nm~70nm,所选材料全部是无机物材料;所述探测器采用如下方法制备而成,包括如下步骤:(1)FTO分别用去离子水、丙酮、酒精各超声15分钟,然后用紫外臭氧环境处理30分钟;(2)用旋涂制备ZnO种子层;用1.5M的醋酸锌溶液溶解在甲醇溶液中随后搅拌10分钟,采用5000r/min的转速旋涂在FTO上,时间为20秒;在100℃条件下烘干10min,再转移到马沸炉中进行退火,温度为300℃,时间为2h;(3)采用水浴法制备ZnO纳米棒;用0.6g聚醚酰亚胺PEI加入到150ml去离子水中搅拌,然后加入50mmol/L六水硝酸锌Zn(NO3)2·6H2O和30mmol/L六次甲基四胺C6H12N4,充分搅拌30分钟,将步骤(2)退火后的样品放入溶液中,在88.5摄氏度环境下反应10分钟,从溶液中取出来后将样品充分吹干;将ZnO纳米棒转移到马沸炉中进行退火,温度为300℃,时间为2h;(4)采用传统的两步法合成钙钛矿层;先将1M PbBr2溶解在二甲亚枫DMSO中,在70℃条件下保温15h使之充分溶解,然后过滤备用;将CsBr溶解在甲醇溶液中搅拌30分钟备用;PbBr2溶液采用3000转30秒旋涂在ZnO纳米棒上,然后在热台上烤干,30分钟后,在CsBr甲醇溶液中浸泡10分钟,然后250度烤干;(5)做完钙钛矿层后再旋涂HTM层;这里HTM层的材料采用MoO3;采用蒸发蒸镀的方法,蒸发速率为(6)最后的金电极采用蒸发蒸镀的方法,蒸发速率为(7)检测,至此,即可制作成一个完整的纯无机光电探测器。
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