[发明专利]一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法在审
| 申请号： | 201710262860.6 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106906515A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;杨祥龙;彭燕;陈秀芳;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法，该装置包括设置在炉架上的加热炉，在炉架上方位于加热炉的一侧设置有支撑架，支撑架滑动连接有载重架，所述的载重架包括线圈固定架和载重架臂，所述线圈固定架包括圆环固定架，圆环固定架上设置有线圈支架，圆环固定架与载重架臂固定连接，在线圈支架上设置有感应线圈，圆环固定架、线圈支架及感应线圈套设在加热炉外围，感应线圈电连接中频变压器。进行晶体生长时，感应线圈沿轴向上下平稳移动，使温度场与生长界面同步移动，解决了现有SiC单晶生长过程中前沿温度逐渐升高和径向温度逐渐加大的问题，避免SiC单晶生长过程中生长温度变化导致的多型相变的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 温度场 实时 调整 sic 生长 装置 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置，包括设置在炉架上的加热炉，加热炉内设置有生长腔，其特征在于，在炉架上方位于加热炉的一侧设置有支撑架，支撑架滑动连接有载重架，所述的载重架包括线圈固定架和载重架臂，所述线圈固定架包括圆环固定架，圆环固定架上设置有线圈支架，圆环固定架与载重架臂固定连接，在线圈支架上设置有感应线圈，圆环固定架、线圈支架及感应线圈套设在加热炉外围，感应线圈电连接中频变压器。
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