[发明专利]一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710263443.3 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106920849B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 董鑫;梁红伟;张源涛;夏晓川;张宝林;杜国同 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/267;H01L23/373;H01L21/02 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散热 ga2o3 基金 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管，依次由衬底(1)，衬底(1)上制备的Ga2O3上缓冲层(2)，Ga2O3上缓冲层(2)上外延的Ga2O3沟道层(3)，沟道层(3)上制备的相互分立的源区(4)、漏区(5)，源区(4)、漏区(5)和沟道层(3)的部分区域上沉积的Al2O3绝缘层(6)，源区(4)、漏区(5)和绝缘层(6)上通过热蒸发制备的源电极(7)、栅电极(8)和漏电极(9)；其特征在于：衬底(1)是Si单晶，在衬底(1)和Ga2O3上缓冲层(2)中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构(101)；所述混合多层结构(101)由GaN系多层结构薄膜(10)、Ga2O3薄层(11)、Ga2O3薄层(11)上制备的UID‑Ga2O3下缓冲层(12)、UID‑Ga2O3下缓冲层(12)上制备的Ga2O3半绝缘层(13)组成；Ga2O3上缓冲层(2)制备在半绝缘层(13)上；GaN系多层结构薄膜(10)采用AlN、AlGaN及GaN多层薄膜结构，其最上层为高质量GaN薄膜。
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