[发明专利]一种半导体纳米晶及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201710263452.2 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107059131A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄啸谷;张云柯;张英杰;泽仁翁姆;崔浩南;闫子寒 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/14;H01L31/0749;H01L31/032;H01L31/0392;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙)32238 | 代理人： | 张立荣,裴咏萍 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米晶，该半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑10.8‑11.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置，铟、铜金属阳离子分布在顶角位置。本发明半导体纳米晶能很好地用于薄膜太阳能电池，且制备方法简单，操作便捷，适合一定规模和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米晶，其特征在于：所述半导体纳米晶为铜铟硫三元半导体纳米晶，其中铜、铟、硫三种元素的摩尔比为0.7‑1:0.8‑1:1.8‑2.2；所述半导体纳米晶相态单一，晶型结构为六方纤锌矿结构，阴离子硫处于晶胞中心的位置，铟、铜金属阳离子分布在顶角位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京信息工程大学，未经南京信息工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710263452.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
