[发明专利]提高氧化镓材料导热性的方法有效
| 申请号： | 201710264499.0 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN107039245B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;何启鸣;董航;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L23/373 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高氧化镓材料导热性的方法，包括：在氧化镓衬底上外延单晶氧化镓薄膜；利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上，得到形成于上述衬底之上的单晶氧化镓材料。通过将单晶氧化镓薄膜转移至诸如金刚石、AlN衬底、GaN衬底、SiC衬底或由Si衬底和沉积于Si衬底上的金刚石组成的复合衬底等热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底上，有效提高了氧化镓材料的导热性，且干法转移工艺步骤简单，容易形成较成熟的工艺，易于推广，有助于提高生产质量，对于其实用化具有较高的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 氧化 材料 导热性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高氧化镓材料导热性的方法，包括：/n在氧化镓衬底上外延单晶氧化镓薄膜；/n利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上，得到形成于所述衬底之上的单晶氧化镓材料；/n其中，利用刻蚀工艺结合二维材料转移的方式将单晶氧化镓薄膜转移至热导率大于200W/m·K且与半导体兼容的衬底材料上包括：/n通过滚压的方式将形成于氧化镓衬底上的单晶氧化镓薄膜表面与胶带粘合；/n通过刻蚀工艺将氧化镓衬底刻蚀掉，只保留单晶氧化镓薄膜；/n将粘有单晶氧化镓薄膜的胶带和所述衬底贴合；以及/n利用热剥离的方式将胶带与单晶氧化镓薄膜分离，得到形成于所述衬底上的单晶氧化镓材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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