[发明专利]一种QLED器件、显示装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201710264527.9 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN108735907A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示应用技术领域，提供了一种QLED器件、显示装置及其制备方法。该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，界面修饰材料为p型导电材料。在本发明中，通过采用空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成空穴注入层，以此提高其空穴传输能力和电离能，降低空穴注入势垒，从而有效的提高电导，降低驱动电压，改善载流子的注入平衡，同时减少了器件的荷电，提高了器件的功率效率以及器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 界面修饰 空穴注入材料 空穴注入层 材料掺杂 显示装置 制备 载流子 空穴传输能力 空穴注入势垒 应用技术领域 电子传输层 空穴传输层 功率效率 驱动电压 使用寿命 依次设置 注入平衡 底电极 电离能 顶电极 发光层 量子点 衬底 电导 荷电 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，其特征在于，所述QLED器件还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，所述界面修饰材料为p型导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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