[发明专利]一种离子掺杂的CsPbI2Br薄膜、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201710264822.4 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107093640A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 姜明浩;胡延强;张树芳;苗晓亮;邱婷;白帆 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01L21/40 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 邹伟红,朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子掺杂的CsPbI2Br薄膜、制备方法及其应用，所述薄膜化学式为CsPb(1‑x)MnxI2Br，其中0＜x＜1，优选0.05≤x≤0.5。本发明通过离子掺杂,在空气中就可制备高质量的CsPb(1‑x)MnxI2Br钙钛矿薄膜，可有效避免当前太阳能电池制备的繁琐手套箱操作及昂贵真空蒸发设备投入；通过离子掺杂制备的CsPb(1‑x)MnxI2Br薄膜，其光谱吸收范围得到了很好的扩宽，初次试制的平面异质结钙钛矿电池的效率达9.7%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 掺杂 cspbi2br 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种离子掺杂的CsPbI2Br薄膜，其特征在于，所述薄膜化学式为CsPb(1‑x)MnxI2Br，其中0＜x＜1。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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