[发明专利]带有门栅控制的平面探测晶体管器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种带有门栅控制的平面探测晶体管器件，包括：衬底；形成在衬底之上的氧化层；形成在氧化层之上的硅外延层，硅外延层在水平方向上依次设置有重掺杂的施主发射区、第一轻掺杂的受主基区、第二轻掺杂基区、施主收集区和重掺杂的施主欧姆接触区，施主收集区当作探测窗口；形成在第二轻掺杂基区之上的栅结构；形成在第一轻掺杂受主基区之上的第一侧墙；形成在门栅结构一侧的第二侧墙，门栅结构位于第一侧墙和第二侧墙之间；虚拟收集区通过设置轻掺杂基区，并在门栅结构施加正向偏压、施主收集区和施主发射区之间施加正向偏压形成。本发明具有如下优点：可以提高探测器件的开口率，同时提高器件的探测增益，并在一定程度上缓解寄生电容现象。

主权项

1.一种带有门栅控制的平面探测晶体管器件，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的氧化层；形成在所述氧化层之上的硅外延层，所述硅外延层在水平方向上依次设置有重掺杂的施主发射区、第一轻掺杂的受主基区、第二轻掺杂基区、施主收集区和重掺杂的施主欧姆接触区，所述施主收集区用于当作光子或电子的探测窗口；形成在所述第二轻掺杂基区之上的门栅结构；形成在所述第一轻掺杂的受主基区之上的第一侧墙；形成在所述门栅结构一侧的第二侧墙；其中，所述门栅结构位于所述第一侧墙和所述第二侧墙之间；形成在所述门栅结构之下的虚拟收集区，其中所述虚拟收集区通过在所述第一轻掺杂的受主基区和所述施主收集区之间设置第二轻掺杂基区，并在所述门栅结构施加正向偏压，同时在所述施主收集区和所述施主发射区之间施加正向偏压形成。