[发明专利]半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管

摘要

本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nmdf150nm的范围以适于微细化，可进行写入电压的绝对值为3.3V以下的数据的写入。半导体强电介质存储元件的制造方法的特征在于，其是在半导体基体上按以下顺序形成了绝缘体、由铋层状钙钛矿结晶的强电介质的构成元素构成的膜、和金属后进行强电介质结晶化退火而制造的由半导体基体和绝缘体和强电介质和金属构成的元件的制造方法，上述膜由Ca和Sr和Bi和Ta和氧原子构成，上述金属由Ir或Pt或Ir和Pt的合金或Ru构成，上述强电介质结晶化退火在氮中加入了氧的混合气体中或者在氩中加入了氧的混合气体中进行。

主权项

一种半导体强电介质存储元件的制造方法，其特征在于，其是由半导体基体、绝缘体、强电介质和金属构成的元件的制造方法，该制造方法在半导体基体上按以下顺序形成了绝缘体、由铋层状钙钛矿结晶的强电介质的构成元素构成的膜、和金属后进行强电介质结晶化退火，所述膜为由锶和铋和钽和氧的元素构成的膜、钙和锶和铋和钽和氧的膜、锶和铋和钽和铌和氧的膜、或者钙和锶和铋和钽和铌和氧的膜，所述金属由Ir、或Pt、或Ir和Pt的合金、或Ru构成，所述强电介质结晶化退火在氮中加入了氧的混合气体中或者在氩中加入了氧的混合气体中进行。