[发明专利]一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统

摘要

本发明涉及一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统，所述光伏发电系统包括：多个用于产生直流电的光伏组件；多个用于将所述直流电转换为交流电的功率转换器；多个无功功率补偿系统；所述光伏组件包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为硅基异质结太阳能电池。本发明的光伏发电系统具有无功功率补偿系统，降低电能损耗，同时采用硅基异质结太阳能电池，制造成本低且光电转换效率优异。

主权项

1.一种具有无功功率补偿系统的光伏发电系统，其特征在于：所述光伏发电系统包括：多个用于产生直流电的光伏组件；多个用于将所述直流电转换为交流电的功率转换器；多个无功功率补偿系统；所述无功功率补偿系统执行如下操作:1)基于光伏发电系统中的至少一个功率转换器的状态来计算无功功率的所需值；2)基于所述无功功率的所需值生成无功功率指令；3)将所述无功功率指令发送到产生所述无功功率的所需值的所述功率转换器中，以补偿由所述光伏发电系统中的所述功率转换器引起的电压变化；所述光伏组件包括多个呈阵列排布的太阳能电池片，所述太阳能电池片为硅基异质结太阳能电池，所述硅基异质结太阳能电池按照如下步骤制备：(a)对P型硅片进行清洗；(b)采用金属离子辅助化学刻蚀法在所述P型硅片的上表面制备P型硅纳米线阵列，所述P型硅纳米线阵列中硅纳米线的长度为1‑2微米，相邻硅纳米线之间的间距为300‑400nm，所述硅纳米线的直径为600‑800nm；(c)将含有所述P型硅纳米线阵列的所述P型硅片浸入硫化氨的水溶液中，作为阳极，并在硫化氨的水溶液中放置铂电极，作为阴极，进行电镀硫化处理，以得到硫化钝化层；(d)在所述P型硅纳米线阵列的表面通过化学气相沉积法制备铁电钝化薄膜，所述铁电钝化薄膜的厚度为1‑3纳米；(e)随后在所述铁电钝化薄膜的表面通过PECVD法制备N型非晶硅薄膜，所述N型非晶硅薄膜的厚度为60‑80纳米；(f)在所述N型非晶硅薄膜表面通过化学气相沉积法制备铁电薄膜隧穿层，所述铁电薄膜隧穿层的厚度为1‑3纳米；(g)在所述铁电薄膜隧穿层的表面沉积ITO透明导电层，所述ITO透明导电层的厚度为50‑80纳米，在所述ITO透明导电层表面沉积银栅电极；(h)在P型硅片的背面依次沉积氟化锂层和金属铝电极层，所述氟化锂层的厚度为1‑3纳米，所述金属铝电极层的厚度为80‑100纳米。