[发明专利]用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物及使用其制造半导体器件的方法

摘要

一种用于填充微细图案间隙的间隙填充聚合物，其具有低的介电常数(低k)和优异的间隙填充性能，该聚合物可以包括通过由式1表示的第一低聚物和由式2表示的第二低聚物的缩聚反应形成的化合物。

主权项

一种用于填充半导体器件的微细光致抗蚀剂图案间隙的间隙填充聚合物，所述间隙填充聚合物包括通过由下式1表示的第一低聚物和由下式2表示的第二低聚物的缩聚反应形成的化合物：式1其中：R是氢或者取代的或未取代的C1‑C18烷基；R1至R4各自独立地选自氢原子、取代的或未取代的C1‑C18烷基、取代的或未取代的C2‑C10烯基、取代的或未取代的C3‑C10环烷基、取代的或未取代的C6‑C18芳基、取代的或未取代的C7‑C18芳烷基和取代的或未取代的C7‑C18烷芳基；以及，m和n中的每个表示第一低聚物的主链中重复单元的数量，以及m:n的摩尔比为1:0.01‑30；式2其中：R5选自氢原子、羟基、取代的或未取代的C1‑C18烷基；R6至R11各自独立地选自氢原子、取代的或未取代的C1‑C18烷基、取代的或未取代的C2‑C18烯基、取代的或未取代的C1‑C18烷氧基、取代的或未取代的C6‑C18芳基、取代的或未取代的C3‑C18烷基丙烯酸酯基、取代的或未取代的C4‑C18烷基甲基丙烯酸酯基、取代的或未取代的C1‑C18氨基烷基和取代的或未取代的C3‑C18烷基乙烯基；以及o、p和q中的每个表示第二低聚物的主链中重复单元的数量，以及o:p:q的摩尔比为1:0.01‑30:0.01‑30。