[发明专利]形成芯片封装的方法在审
| 申请号： | 201710265915.9 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107946198A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈星兆;林志伟;江宗宪;郑明达;谢静华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种形成芯片封装的方法，包括放置一半导体晶粒于承载基板上；形成保护层于承载基板上以围绕半导体晶粒；形成介电层于保护层及半导体晶粒上；切除介电层的上部以改善介电层的平坦性；以及于切除介电层的上部之后，形成导电层于介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种形成芯片封装的方法，包括：放置一半导体晶粒于一承载基板上；形成一保护层于该承载基板上以围绕该半导体晶粒；形成一介电层于该保护层及该半导体晶粒上；切除该介电层的一上部以改善该介电层的平坦性；以及于切除该介电层的该上部之后，形成一导电层于该介电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710265915.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法
- 下一篇：半导体装置封装和其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
