[发明专利]用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710266022.6 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107065058B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 芦红;陈九果 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料具体为：在锑化镓的基质中嵌入锑化铒的纳米线阵列，纳米线阵列的方向与基质表面垂直或者平行，当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。本发明通过分子束外延的方法，获得在半导体材料中嵌入具有半金属性质的纳米线结构的复合材料，这种材料可用作宽频的太赫兹和红外偏振器，并可与基于III－V族半导体材料的太赫兹和红外光电器件进行集成。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 薄膜材料 基质表面 锑化 红外光 半导体材料 偏振调制 体积比 制备 嵌入 红外光电器件 分子束外延 红外偏振器 纳米线结构 方向垂直 方向平行 复合材料 半金属 锑化镓 基质 可用 宽频 平行 垂直 | ||
【主权项】：
1.用作太赫兹和红外光偏振调制的薄膜材料的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：(1)提供(100)晶面的砷化镓或砷化锑衬底；(2)在所述衬底上先经过表面去氧化处理，再通过分子束外延的方法，生长缓冲层；(3)在所述缓冲层上，利用分子束外延共沉积的方法生长铒掺杂的锑化镓，得到在锑化镓基质中嵌入有锑化铒纳米线阵列的薄膜材料；其中，生长温度为530℃，生长速率为0.1μm/hr到1μm/hr之间；当锑化铒的体积比浓度为10％时，纳米线阵列的方向垂直于基质表面；当锑化铒的体积比浓度为15‑25％时，纳米线阵列的方向平行于基质表面。
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