[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板有效
| 申请号： | 201710267543.3 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106847675B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 杨昕 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44;C23C16/52;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示面板，其中，所述低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层；其中，所述膜质参数包括折射率参数和/或导热系数参数；对所述多层具有不同膜质参数的非晶硅层进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅薄膜。本发明实施例通过沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层，不同膜质参数的非晶硅折射率、导热系数不同，有利于在晶化过程中形成大尺寸晶粒，使得有源层低温多晶硅的晶界较少，可减小薄膜晶体管导通时的漏电流，提高薄膜晶体管的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 及其 制备 方法 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括：沉积多层具有不同膜质参数的非晶硅层；其中，所述膜质参数包括折射率参数和/或导热系数参数；对所述多层具有不同膜质参数的非晶硅层进行脱氢处理；以及对脱氢处理后的非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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