[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201710269206.8 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN107275223A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 叶培勇,刘春元 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中,在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中,在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括:形成栅电极层;形成氧化物半导体膜;形成第一栅极绝缘膜;以及形成与所述第一栅极绝缘膜接触的第二栅极绝缘膜,其中,所述第一栅极绝缘膜和所述第二栅极绝缘膜位于所述栅电极层与所述氧化物半导体膜之间,其中,所述第一栅极绝缘膜通过CVD法形成,并且其中,所述第二栅极绝缘膜通过原子层沉积法形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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