[发明专利]FinFET及其形成方法

摘要

实施例是一种结构，其包括位于衬底上方的第一鳍；位于衬底上方的第二鳍，第二鳍相邻于第一鳍；环绕第一鳍和第二鳍的隔离区，隔离区的第一部分位于第一鳍和第二鳍之间；沿着第一鳍和第二鳍的侧壁并且位于其上表面的上方的栅极结构，栅极结构界定了第一鳍和第二鳍中的沟道区；位于栅极结构侧壁上的栅极密封间隔件，栅极密封间隔件的第一部分位于在第一鳍和第二鳍之间的隔离区的第一部分上；以及邻近栅极结构的第一鳍和第二鳍上的源极/漏极区。本发明实施例涉及FinFET及其形成方法。

主权项

一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底的上方；第二鳍，位于所述衬底的上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；隔离区，环绕所述第一鳍和所述第二鳍，所述隔离区的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的上方，所述栅极结构限定了所述第一鳍和所述第二鳍中的沟道区；栅极密封间隔件，位于所述栅极结构的侧壁上，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间的所述隔离区的第一部分上；以及源极/漏极区，位于所述第一鳍和所述第二鳍上并且邻近所述栅极结构。