[发明专利]一种纳米薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710270602.2 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107099785B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 赵世峰;白玉龙;郭飞;陈介煜;王一帆 申请(专利权)人: 内蒙古大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;C09K5/14;B82Y40/00
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 宋平
地址: 010021 内蒙古*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要: 发明公开一种纳米薄膜的制备方法。将镧盐、钴盐和锰盐与乙二醇与甲醚的混合溶液混合搅拌,加入乙酰丙酮,以单晶Si为衬底,在衬底上沉积薄膜,将薄膜用快速热处理系统氧气气氛下退火,升温至700‑800℃,在700‑800℃时长150‑250s;重复步骤2和3至10‑20次使得薄膜厚度达到一百纳米以上;将最终所得到的薄膜在RTP中,在700‑800℃时长850‑950s即得。本发明采用简易溶胶‑凝胶法制备纳米薄膜,具有溶胶‑凝胶的工艺优点和固态制冷技术的优点。绿色、低成本,高效率、低噪音,抗氧化、器件微型化,适用于工业生产。
搜索关键词: 一种 纳米 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1.将镧盐、钴盐和锰盐按照摩尔比2:1:1混合,然后倒入到乙二醇与甲醚的混合溶液中,然后密封保存,将混合物搅拌400‑600min,形成镧盐、钴盐和锰盐总浓度为0.15‑0.25mol/l呈透明清晰的溶胶,加入乙酰丙酮,室温静置老化70‑80小时;2.以单晶Si为衬底,在衬底上沉积薄膜,慢速350‑450r/min时长15‑20s,快速3800‑4200r/min时长40‑60s,薄膜在衬底上旋涂甩膜沉积,烘烤温度250‑300℃时长1‑3min;3.将步骤2所得初始衬底薄膜用快速热处理系统氧气气氛下退火,按照升温速率100‑200℃/s,升温至700‑800℃,在700‑800℃时长150‑250s,气体流量0.3‑0.5L/min;4.重复步骤2和3至10‑20次使得薄膜厚度达到一百纳米以上;5.将步骤4最终所得到的薄膜在RTP中,在700‑800℃时长850‑950s,气体流量0.3‑0.5L/min即得;所述步骤3和步骤5的薄膜生长气氛均为氧气气氛;所述镧盐、钴盐和锰盐分别为分析纯的La(NO3)3·5H2O、Co(NO3)2·4H2O和Mn(CH3COO)2,乙二醇与甲醚的混合溶液中乙二醇与甲醚的体积比为6:4,搅拌采用磁力搅拌或者机械搅拌;所述乙酰丙酮的加入量为质量分数0.05‑0.15%。
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