[发明专利]光强分布的测量方法有效
| 申请号： | 201710270811.7 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108731797B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 朱钧;黄磊;金国藩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/00 | 分类号： | G01J1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：提供一光强分布的检测系统，将所述光强分布的检测系统设置在真空环境中，所述光强分布的检测系统包括一碳纳米管阵列、一反射镜、一成像元件和一冷却装置，该碳纳米管阵列设置于一生长基底；启动所述冷却装置冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；用一待测光源照射所述碳纳米管阵列，使该碳纳米管阵列辐射出可见光，并持续冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；所述碳纳米管阵列所辐射的可见光经所述反射镜反射；利用所述成像元件对所述反射镜所反射的可见光成像，读出待测光源的光强分布。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：S1,提供一光强分布的检测系统，将所述光强分布的检测系统设置在真空环境中，所述光强分布的检测系统包括一碳纳米管阵列、一反射镜、一成像元件和一冷却装置，该碳纳米管阵列设置于一生长基底；S2,启动所述冷却装置冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；S3,用一待测光源照射所述碳纳米管阵列，使该碳纳米管阵列辐射出可见光，并持续冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；S4,所述碳纳米管阵列所辐射的可见光经所述反射镜反射；S5,利用所述成像元件对所述反射镜所反射的可见光成像，读出待测光源的光强分布。
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