[发明专利]一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感

摘要

一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。

主权项

一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，其特征在于，该有源电感包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)；所述第一跨导单元(1)包括第三N型MOS晶体管(M3)、第四N型MOS晶体管(M4)；调制单元(2)为第五N型MOS晶体管(M5)；第二跨导单元(3)为第七N型MOS晶体管(M7)；第三跨导单元(4)为第八N型MOS晶体管(M8)；第四跨导单元(5)为第九N型MOS晶体管(M9)；第一可调偏置电路(6)为第一P型MOS晶体管(M1)；第二可调偏置电路(7)为第六P型MOS晶体管(M6)；第三可调偏置电路(8)为第二N型MOS晶体管(M2)；第四可调偏置电路(9)为第十P型MOS晶体管(M10)；所述有源电感的输入端(RFin)同时连接第二N型MOS晶体管(M2)的漏极、第三N型MOS晶体管(M3)的栅极、第七N型MOS晶体管(M7)的源极、第八N型MOS晶体管(M8)的漏极和第九N型MOS晶体管(M9)的源极；第一P型MOS晶体管(M1)的源极与VDD相连，第一P型MOS晶体管(M1)的漏极同时与第四N型MOS晶体管(M4)的漏极和第七N型MOS晶体管(M7)的栅极相连；第一P型MOS晶体管(M1)的栅极连接第一可调电压源(Vtune1)；第二N型MOS晶体管(M2)的源极连接地端，第二N型MOS晶体管(M2)的栅极连接第二可调电压源(Vtune2)；第三N型MOS晶体管(M3)的源极连接地端，第三N型MOS晶体管(M3)的漏极同时与第四N型MOS晶体管(M4)的源极和第五N型MOS晶体管(M5)的栅极相连；第四N型MOS晶体管(M4)的栅极连接第五N型MOS晶体管(M5)的漏极；第五N型MOS晶体管(M5)的源极连接地端，第五N型MOS晶体管(M5)的漏极连接第六P型MOS晶体管(M6)的漏极；第六P型MOS晶体管(M6)的栅极连接第三可调电压源(Vtune3)，第六P型MOS晶体管(M6)的源极与VDD相连；第七N型MOS晶体管(M7)的漏极连接电压源VDD；第八N型MOS晶体管(M8)的源极连接地端，第八N型MOS晶体管(M8)的栅极同时与第九N型MOS晶体管(M9)的漏极和第十P型MOS晶体管(M10)的漏极相连；第九N型MOS晶体管(M9)的栅极连接固定偏置Vb；第十P型MOS晶体管(M10)的栅极连接第四可调电压源(Vtune4)，第十P型MOS晶体管(M10)的源极与VDD相连。