[发明专利]一种外延炉硅片基座在审
| 申请号： | 201710272642.0 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108728898A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延炉硅片基座，包括基座底盘和导热块，用于降低和调整基座底盘边缘的温度。当基座底盘背部有多余的突起区域，基座底盘正面硅片所在相应的位置温度会随之的变低，随着温度的降低，硅片边缘(110)晶向的边缘位置外延沉积速率也相应降低，通过这种方式，可以使整块硅片边缘的外延生长速度趋于相同，这样便降低了硅片的ESFQR(Edge Site Rrontsurface referenced least sQuares/Range，边缘部位正面基准最小二乘/范围)。导热块可独立加工，这样在实验调整过程中，不需要改变基座底盘，仅需设计不同种类的导热块，即可改变实验条件，寻找最佳的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 基座底盘 硅片 导热 硅片边缘 外延炉 边缘部位 边缘位置 底盘边缘 调整基座 独立加工 工艺窗口 实验条件 突起区域 外延沉积 外延生长 最小二乘 晶向 整块 | ||
【主权项】：
1.一种外延炉硅片基座，其特征在于，包括：基座底盘，用于承载硅片；所述基座底盘底部最大外径处设有四个等距分布的“T”形槽，所述“T”形槽内均设有与之形状相匹配的导热块。
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