[发明专利]一种降低闪存源端导通电阻的方法有效
| 申请号： | 201710272670.2 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN106941076B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞生;陈昊瑜;许向辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种降低闪存源端导通电阻的方法，包括下列步骤：提供具有浅沟槽隔离结构的半导体衬底；对上述结构进行离子注入工艺，在所述半导体衬底形成有源区；在所述有源区上方形成第一掺杂区；对有源区进行磷离子注入，在有源区中与浅沟槽隔离结构等同深度的地方形成第二掺杂区。本发明提出的降低闪存源端导通电阻的方法，可以降低现有闪存源端电阻50％～70％，极大的改善源端电阻拱形分布，降低了中心存储单元与两端存储单元VT的差异，可以获得更窄的VT分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 闪存 源端导 通电 方法 | ||
【主权项】：
一种降低闪存源端导通电阻的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供具有浅沟槽隔离结构的半导体衬底；对上述结构进行离子注入工艺，在所述半导体衬底形成有源区；在所述有源区上方形成第一掺杂区；对有源区进行磷离子注入，在有源区中与浅沟槽隔离结构等同深度的地方形成第二掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710272670.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种乙烯基甲醚用甲醇储罐
- 下一篇：一种集装箱液袋泄漏定位报警系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
