[发明专利]一种电荷捕获型非易失存储器及其制作方法

摘要

一种电荷捕获型非易失存储器及其制作方法，所述电荷捕获型非易失存储器之选择栅和外围区栅极同时沉积、刻蚀形成，进而在存储区与外界区的边界区处无环形冗余结构。所述电荷捕获型非易失存储器通过自对准方法形成侧墙型选择栅，所述电荷捕获型非易失存储器之选择栅的高度高于控制栅的高度。本发明通过自对准的方法形成侧墙型选择栅，有效的减小了选择栅和控制栅之间的距离，从而达到进一步缩小存储单元尺寸的目的；同时，通过沉积控制栅硬掩模版的方法增加控制栅高度，从而形成侧墙型的选择栅，通过控制栅硬掩模版的去除在栅极顶部形成金属硅化物，从而有效降低栅极电阻，有效防止选择栅和控制栅顶部的金属硅化物短接。

主权项

1.一种电荷捕获型非易失存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n执行步骤S1：在经过深阱注入的硅基衬底上依次进行预清洗、ONO层沉积、第一多晶硅沉积、硬掩模版氧化硅层沉积、多晶硅离子注入、预清洗、硬掩模板氮化硅层沉积，所述ONO层包括在所述硅基衬底上呈层叠设置的第一氧化物层、氮化物层及第二氧化物层；/n执行步骤S2：第一光刻胶涂布显影，仅覆盖存储区处用于形成控制栅的顶部区域；/n执行步骤S3：存储区的第一多晶硅经过干法刻蚀后形成存储区的控制栅，外围电路区的第一多晶硅同时被刻蚀去除，且刻蚀终止于所述ONO层的第二氧化物层，并通过氧化工艺在所述控制栅侧壁形成再氧化层；/n执行步骤S4：氧化物各向同性刻蚀终止于ONO层的氮化物层；/n执行步骤S5：第二光刻胶涂布显影，所述第二光刻胶覆盖外围低压器件区、外围高压器件区和边界区，并进行离子注入；/n执行步骤S6：去除所述第二光刻胶后，通过湿法刻蚀分别去除有源区ONO层的氮化物层和第一氧化物层；/n执行步骤S7：经过预清洗后，进行第一厚栅氧化层沉积；/n执行步骤S8：第三光刻胶涂布显影露出外围低压器件区，通过湿法刻蚀去除外围低压器件区的第一厚栅氧化层；/n执行步骤S9：去除第三光刻胶后，进行薄栅氧化层沉积，最终在所述外围低压器件区形成薄栅氧化层，外围高压器件区形成第二厚栅氧化层，存储区之非控制栅区域形成第二厚栅氧化层；/n执行步骤S10：第二多晶硅沉积，所述第二多晶硅同时覆盖存储区、外围低压器件区、外围高压器件区和边界区，以用于形成存储区的选择栅和外围区的栅极；/n执行步骤S11：第四光刻胶涂布显影，覆盖所述外围低压器件区、外围高压器件区和边界区中用于形成P型晶体管的区域，进行N型离子注入退火；/n执行步骤S12：去除所述第四光刻胶，重新进行第五光刻胶涂布显影，所述第五光刻胶覆盖外围区用于形成栅极的第二多晶硅之顶部；/n执行步骤S13：第二多晶硅刻蚀，同时形成存储区的侧墙型选择栅和外围区的栅极，经湿法刻蚀去除控制栅顶部的硬掩模版氮化硅层；/n执行步骤S14：第五光刻胶涂布显影，所述第五光刻胶边界设置在所述控制栅之硬掩模版氧化硅层的顶部；/n执行步骤S15：刻蚀去除控制栅之间的多晶硅，随后去除第五光刻胶，以形成存储区的控制栅、选择栅和外围区的栅极；/n执行步骤S16：通过栅极侧墙沉积、栅极侧墙刻蚀工艺，形成栅极侧墙；/n执行步骤S17：在所述选择栅、控制栅顶部、外围电路栅极顶部和有源区形成金属硅化物。/n