[发明专利]一种具有透明上电极的阻变单元及其导电细丝定位方法

摘要

本发明提出一种具有透明上电极的阻变单元及其导电细丝定位方法，属于阻变存储器领域。所述阻变单元，从下到上依次由下电极，绝缘介质层和上电极三部分构成；其中，上电极的材料为透明氧化铟锡。导电细丝定位方法为：对具有透明上电极的阻变单元绝缘介质层所采用的材料进行光谱测试分析，获得该材料氧空位发光强度峰值所对应的发光波长；采用紫外激光作为激发源，利用显微物镜对紫外激光进行聚焦，通过聚焦后的紫外激光对透明上电极进行光致发光扫描，获得上电极对应氧空位发光强度的二维图像；读取上电极内每一点的光谱，发光最强位置即为导电细丝连接上电极一端所在的位置。本发明无需剥离电极，利用光学手段对导电细丝进行定位扫描，成本低。

主权项

1.一种具有透明上电极的阻变单元的导电细丝定位方法，所述具有透明上电极的阻变单元，从下到上依次由下电极，绝缘介质层和上电极三部分构成，所述绝缘介质层内具有连接下电极和上电极的导电细丝，所述上电极材料为透明氧化铟锡；其特征在于，包括以下步骤：1)对具有透明上电极的阻变单元绝缘介质层所采用的材料进行光谱测试分析，获得该材料氧空位发光强度峰值所对应的发光波长；2)采用紫外激光作为激发源，利用共聚焦显微荧光系统中的显微物镜对紫外激光进行聚焦，通过聚焦后的紫外激光对具有透明上电极的阻变单元的上电极进行光致发光扫描，获得上电极对应氧空位发光强度的二维图像；3)根据步骤2)获取的图像，读取上电极内每一点的光谱，记录在步骤1)确定的波长处每一点的发光强度，发光最强的位置即为导电细丝连接上电极的一端所在的位置，导电细丝定位完成。