[发明专利]低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710274143.5 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107393958A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 周建军;孔岑;郁鑫鑫;张凯;孔月婵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法，具体实施步骤包括在衬底上依次外延生长缓冲层、沟道层、插入层、势垒层；选择生长掩模层的制备；外沟道选择生长掩模层的刻蚀；外沟道层的选择外延生长；选择生长掩模的去除；选择生长掩模层的制备；栅选择生长区域掩模层的刻蚀；栅势垒层的选择生长；去除选择生长掩模层及其上的外沟道层；源漏金属的制备及合金；栅金属的制备。本发明具有导通电阻低；高阈值电压及均匀性；内外沟道材料结构自由度高；无损伤缺陷导致的器件动态特性退化的问题等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 阈值 电压 增强 gan 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：(1)在衬底上利用外延生长方法依次外延生长缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；(2)在器件表面生长一层选择生长掩模层；(3)通过常规光刻、显影工艺，利用光刻胶定义栅掩模，然后利用刻蚀方法刻蚀无光刻胶区域的选择生长掩模层；(4)利用有机溶剂，进行超声清洗，去除光刻胶，利用外延生长方法生长外沟道层8；(5)利用酸溶液超声去除选择生长掩模层及其上的外沟道层；(6)再次在器件表面生长一层选择生长掩模层；(7)通过常规光刻、显影工艺，利用光刻胶定义栅再生区域，然后利用刻蚀方法刻蚀无光刻胶区域的选择生长掩模层；(8)利用有机溶剂，进行超声清洗，去除光刻胶，利用外延生长方法，生长栅势垒层9；(9)利用酸溶液超声去除选择生长掩模层及其上的栅势垒层；(10)通过常规光刻、显影工艺、金属蒸发和剥离工艺，定义并制备源漏金属，在惰性气体下通过退火形成欧姆接触；(11)通过常规光刻、显影工艺、金属蒸发和剥离工艺，定义并制备栅金属。
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