[发明专利]一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器及制备在审
| 申请号： | 201710274211.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107275483A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李昀;宋磊;王宇;施毅 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，以重参杂的p型硅为衬底，生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)，在P(VDF‑TrFE)上利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法分别生长一层超薄的厚度2‑10nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和厚度5‑10nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩半导体层(C8‑BTBT)，其中钝化层PMMA在二维半导体层C8‑BTBT下面，在半导体层上蒸镀金作为源极和漏极，制备成底栅顶接触结构的二维有机分子半导体铁电晶体管存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 有机 分子 半导体 快速 晶体管 存储器 制备 | ||
【主权项】：
一种基于二维有机分子半导体的快速铁电晶体管存储器，其特征是以重参杂的p型硅为衬底，生长50‑250nm二氧化硅为绝缘层，在二氧化硅上通过热蒸镀的方法制备一层20‑50nm的金作为栅极，然后在栅极上旋涂一层铁电聚合物材料即聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)(P(VDF‑TrFE))，在P(VDF‑TrFE)上利用漂浮的咖啡环效应和相位分离法分别生长一层超薄的厚度2‑10nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和厚度5‑10nm的二辛基苯并噻吩苯并噻吩半导体层(C8‑BTBT)，其中钝化层PMMA在二维半导体层C8‑BTBT下面，在半导体层上蒸镀金作为源极和漏极，这就制备成了底栅顶接触结构的二维有机分子半导体铁电晶体管存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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