[发明专利]一种有机半导体化合物和使用该化合物的有机电致发光器件

摘要

本发明公开了一种有机半导体化合物和使用该化合物的有机电致发光器件，涉及一种有机发光二极管，其由一个阴极，一个阳极以及阴极与阳极间的有机半导体层构成，所述的有机半导体发光层中含有一有机半导体化合物结构式为：其特征是所述的有机半导体由一含带吸电性氮原子的苯环和萘环的芳杂环组成，其中吡咯环氮原子上还联有拓展∏共轭的取代基、或是扩大分子量的连接基L₁。使用所述的有机半导体作为发光层应用，可提高发光效率，延长器件工作寿命。

主权项

1.一种有机发光二极管，其特征是所述有机发光二极管由如下部分组成：(a)一个阴极(b)一个阳极(c)一夹心于阴极与阳极之间的有机半导体发光层，其特征在于所述的有机半导体发光层中含有一种有机半导体化合物，其化学结构通式为：其特征是X₁～X₄为C或者N，且X₁～X₄至少含有一个为N原子；其特征是L₁为连接融合环的吡咯氮原子上的取代基，独立地为：一碳原子小于48的芳环；一碳原子小于48的芳杂环；一碳原子小于48的融合芳环；其特征是R_1‑2选自H,D,F,Cl,OH,CN，碳原子数为1～48的烷基，氟代烷基，芳烷基，杂环烷基，一芳杂环或一芳环；m,n为允许的1到多个取代基数；其特征是Y独立地表示为O，S，烷基C(R₃ R₄)，硅烷基Si(R₃ R₄)，氮基N‑L₂,其中R₃,R₄,L₂独立地为：一碳原子小于12的烷基；一碳原子小于48的芳环；一碳原子小于48的芳杂环；一碳原子小于48的融合芳环；其特征在于所述的有机半导体化合物具有能带3.4～2.0eV；其特征在于所述的有机半导体化合物不包括如下结构：