[发明专利]一种电池充电过流保护电路有效
| 申请号： | 201710277207.7 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107134822B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 李育超 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;吕元辉 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种电池充电过流保护电路，包括P型场效应管PM1、PM4、PM5；N型场效应管NM3、NM4、NM5；所述PM1的源极接VDD、栅极与bias连接，漏极与NM5的栅极连接；所述PM1的漏极还与PM4的源极连接，所述PM4的栅极与CS连接、漏极接地；所述NM5的漏极与VDD连接、源极与NM3的漏极连接；所述NM3的栅极与NM4的栅极连接、源极接地；所述bias还与PM5的栅极连接、源极与VDD连接、漏极与NM4的漏极连接，PM5的漏极还与NM4的栅极连接；所述NM4的源极接地；达到优化电池充电过流保护的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 充电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种电池充电过流保护电路，其特征在于，包括P型场效应管PM1、PM4、PM5；N型场效应管NM3、NM4、NM5；所述PM1的源极接VDD、栅极与bias连接，漏极与NM5的栅极连接；所述PM1的漏极还与PM4的源极连接，所述PM4的栅极与CS连接、漏极接地；所述NM5的漏极与VDD连接、源极与NM3的漏极连接；所述NM3的栅极与NM4的栅极连接、源极接地；所述bias还与PM5的栅极连接、源极与VDD连接、漏极与NM4的漏极连接，PM5的漏极还与NM4的栅极连接；所述NM4的源极接地；所述VDD还与电流源的一端，所述电流源的另一端与比较器vn极连接；所述电流源的另一端还与参考电压修调电路的一端连接，所述参考电压修调电路的另一端接地；所述NM5的源极还与比较器的vp极连接。
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