[发明专利]一种W-Si-C系反应体的高温制备方法有效
| 申请号： | 201710277284.2 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107058840B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张联盟;康克家;罗国强;张建;沈强;王传彬;朱佳文 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C32/00;C22C1/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。本发明与传统的固相烧结方法相比，效率高、成本低，可制得优异性能的W‑Si‑C系反应体，该反应体可用于电子工业、核工业、航空航天与高压物理等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 反应 高温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，其特征在于首先称取一定量的钨粉和SiC粉；干燥处理后采用低能球磨机混合均匀，将混合粉冷压且真空低温烧结，获得预制块体；利用电弧熔炼对预制块体进行高温熔制，快速冷却后得到成份均匀、稳定的W‑Si‑C系反应体；该方法包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。
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